应太阳贵宾厅登录网站和湖北大学先进宽禁带半导体材料与器件研究中心邀请，江南大学敖金平教授于4月9日下午莅临我校访问交流，并在会议中心思诚厅为全校师生作了主题为“氮化镓射频功率器件的研究与应用”学术讲座。讲座报告会由太阳贵宾厅登录网站副院长夏晓红教授主持。

在报告会中，敖金平教授首先概述了氮化镓材料及器件的研究发展历程，接着重点阐述了其团队在氮化镓射频功率器件研制及其应用方面的重要进展和创新成果。报告主要涉及敖教授团队在设计和制造GaN肖特基二极管和微波整流器，及其在低功率微波无线能量传输方面应用的最新研究进展。敖教授的报告引起了参会师生的热烈反响，交流环节中，师生们踊跃提问，敖教授逐一进行了耐心细致的解答，报告会在浓郁学术氛围和热烈掌声中圆满结束。报告会后，太阳贵宾厅登录网站何云斌教授邀请敖教授参观了湖北省先进光电转换与光电催化材料国际科技合作基地和湖北大学先进宽禁带半导体材料与器件研究中心，并详细介绍了国合基地及研究中心近年来的主要工作进展，双方就未来合作事宜进行了深入探讨。

据悉，敖金平2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位，现任江南大学教授、博士生导师，国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任、高级工程师，从事GaAs高速电子器件、集成电路和光电集成电路研究工作。2001年赴日本国立德岛大学工作，从事基于GaN的光电器件和电子器件研究工作。2012年起任该大学大学院技术与科学研究部准教授。2016年入选国家高层次人才计划，任西安电子科技大学特聘教授、博士生导师。作为项目负责人，完成了国家十三五重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“GaN基新型电力电子器件关键技术”项目。2022年起加入江南大学物联网工程学院，任二级教授、博士生导师。在国际学术期刊和国际会议上发表论文300多篇，拥有三十多项发明专利。获电子工业部科技进步奖三等奖、陕西省科学技术奖一等奖、广东省科学技术奖二等奖和中国电子学会科学技术奖二等奖等奖项。

（审稿：陈亮）